CRF plasma 等离子清洗机

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微波等离子清洗机

CRF-WBO-RO1200

0-1250W功率可调固态微波源,脉冲、连续波方式可调,频率2.45GHz±25Hz,循环水冷降低温度。


●环形器+带耦合器的水负载,吸收反射微波,大大延长微波源使用寿命。

三销钉调谐器可调节负载阻抗,提高微波利用率,降低反射波损伤。

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设备详细数据

名称 参数
设备供电 三相380V/AC,50/60Hz,7.2KW
等离子微波源 2.45GHz,0-1250W
负载冷却方式
循环水冷
真空泵 双级旋叶泵+罗茨泵
设备控制方式 PLC+PC
真空探测 皮拉尼式真空规
工艺气体 2路气体可?。–F4,SF6,O2,Cl2,BCI2等)
气体流量 MFC/0-500sccm,两路气体可选
腔体容积 110L
处理效率 同时可放置8个支架类料盒
触摸屏
13.3寸一体机
外形尺寸 1400mm*770mm*1660mm

         等离子清洗是半导体后道工艺中最常见的设备之一。微波等离子清洗机在微波源的激发下产生氧等离子体,这种激发的氧等离子可以有效的去除半导体芯片在加工过程中在芯片表面残留的有机污染物,这种污染物会严重影响器件在键合封装中的良率。在集成电路的制作程中,会产生许多种类的污染物,包括氟化树脂、氧化物、环氧树脂、焊料、光刻蚀剂等,这些污染物将严重影响集成电路及其元器件的可靠性和合格率。等离子清洗作为一种能有效去除表面污染物的工艺技术被广泛应用于集成电路的制程中。
         微波等离子清洗作为一种绿色无污染的高精密干法清洗方式, 可以有效去除表面污染物,避免静电损伤。简述了微波等离子清洗的原理及特点,介绍了设备的构成、清洗工艺和模式,对微波导入和微波源与负载的匹配两个关键技术进行了研究;通过工艺验证,微波等离子清洗降低了接触角度,提高了引线键合强度。

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